Файл:High-k.svg
Зовнішній вигляд
Розмір цього попереднього перегляду PNG для вихідного SVG-файлу: 401 × 235 пікселів. Інші роздільності: 320 × 188 пікселів | 640 × 375 пікселів | 1024 × 600 пікселів | 1280 × 750 пікселів | 2560 × 1500 пікселів.
Повна роздільність (SVG-файл, номінально 401 × 235 пікселів, розмір файлу: 8 КБ)
Історія файлу
Клацніть на дату/час, щоб переглянути, як тоді виглядав файл.
Дата/час | Мініатюра | Розмір об'єкта | Користувач | Коментар | |
---|---|---|---|---|---|
поточний | 18:14, 14 січня 2008 | 401 × 235 (8 КБ) | Stannered | {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Source=en:Image:High-k.png |Da |
Використання файлу
Така сторінка використовує цей файл:
Глобальне використання файлу
Цей файл використовують такі інші вікі:
- Використання в en.wikipedia.org
- Використання в en.wikiversity.org
- Використання в fa.wikipedia.org
- Використання в ja.wikipedia.org
- Використання в ru.wikipedia.org