Власенко Наталія Андріївна

|ім'я_при_народженні= |матір= |підпис_зображення=

Наталія Андріївна Власенко
Народилася	3 січня 1929(1929-01-03) (95 років) Харків, Українська СРР, СРСР
Країна	СРСР→ Україна
Діяльність	фізикиня
Alma mater	ХНУ ім. В. Н. Каразіна
Галузь	фізика
Заклад	Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України ХНУ ім. В. Н. Каразіна
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Нагороди	Премія НАН України імені В. Є. Лашкарьова

Наталія Андріївна Власенко (нар. 3 січня 1929(19290103), Харків) — вчена-фізик, доктор фізико-математичних наук, професор.

Біографія

Наталія Андріївна Власенко народилась 3 січня 1929 року в місті Харків. У 1952 році закінчила Харківський університет.

Трудова діяльність

Після закінчення Харківського університету з 1952 року до 1960 Наталія Андріївна працювала в цьому ж університеті. Від 1960 року працювала в Інституті фізики напівпровідників НАН України (Київ): старшим науковим співробітником, від 1966 до 1995 року — завідувачем відділу електролюмінесценції, від 1995 року — провідним науковим співробітником.

Наукові дослідження

Власенко Н. А. проводила дослідження в області електролюмінесценції, фотолюмінесценції та оптики тонких напівпровідникових плівок. Зробила вагомий внесок у розвиток фізичних уявлень про механізми збудження та старіння в тонкоплівкових електролюмінесцентних структурах (ТПЕЛС), роль інтерференційних і магнітних ефектів, фізичну модель власної пам'яті та природу просторово неоднорідних динамічних станів у світінні.

Досягнення. Відзнаки

• 1973 рік — отримала Державну премію УРСР у галузі науки і техніки.
• 1977 рік — доктор фізико-математичних наук.
• 1984 рік — професор.
• 2003 рік — премія НАН України імені В. Є. Лашкарьова.

Наукові праці

1. Исследование электролюминесценции сублимат-фосфора ZnS: Mn // Оптика и спектроскопия. 1960. — Т. 8. — № 1. (рос.) (співавторство)
2. Physical Processes in Thin-Film Electroluminescent MSM, MSIM and MISIM Structures // Acta Polytechnica Scandinavica. Appl. Phys. Ser. 1990. № 170. (англ.)
3. On nature of centers responsible for inherent memory in ZnS: Mn thin-film electroluminescent devices // J. Crystal Growth, 2000. — Т. 216. (англ.) (співавторство)
4. On origin of rapid portion of luminance-voltage dependence of ZnS: Mn TFEL devices and its aging behaviour // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. — Т. 5. — № 1 (англ.) (співавторство)
5. Self-Organization Patterns in Electroluminescence of Bistable ZnS: Mn Thin-Film Structures // Там само. 2004. — T. 7. — № 2. (англ.) (співавторство)

Джерела

• П. Ф. Олексенко Вла́сенко Наталія Андріївна // Енциклопедія сучасної України / ред. кол.: І. М. Дзюба [та ін.] ; НАН України, НТШ. — К. : Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2005. — Т. 4 : В — Вог. — 700 с. — ISBN 966-02-3354-X.