Резонансний тунельний діод
Резона́нсний туне́льний діо́д (RTD) — напівпровідниковий елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, в якому використовується тунелювання носіїв заряду через оточену двома потенціальними бар'єрами потенціальну яму.
Резонансний тунельний діод має ділянку вольт-амперної характеристики з від'ємною диференційною провідністю.
В резонансному тунельному діоді використовується гетероструктура, в якій потенціальна яма для носіїв заряду, наприклад, для електронів, відділена від контактних легованих областей потенціальними бар'єрами. Наприклад, область потенціальної ями може складатися з GaAs, області потенціальних бар'єрів — з Ga1-xAlxAs, зовнішні області — з логованого донорами GaAs.
Через гетероструктуру з високою імовірністю проходять тільки ті електрони, енергія яких збігається з енергією квантованих рівнів у потенціальній ямі. Електрони з більшою чи меншою енергією через структуру пройти не можуть. При підвищенні прикладеної до гетероструктури напруги енергія електронів у контактному шарі зростає. Коли вона стає рівною енергії квантованого рівня всередині ями, через структуру починає проходити електричний струм. Проте при дальшому підвищенні напруги на діоді електрони набирають більшу енергію й знову не можуть проходити через гетероструктуру — сила струму падає. Як наслідок, виникає область від'ємної диференційної провідності.
Від'ємна диференційна провідність резонансного тунельного діода застосовується для створення високочастотних генераторів електричних коливань. Частоти таких генераторів можуть досгяти терагерцової області.
- Jin, N.; Chung, S.-Y.; Yu, R.; Heyns, R.M.; Berger, P.R.; Thompson, P.E. (2006). The Effect of Spacer Thicknesses on Si-Based Resonant Interband Tunneling Diode Performance and Their Application to Low-Power Tunneling Diode SRAM Circuits. IEEE Transactions on Electron Devices. 53 (9): 2243. doi:10.1109/TED.2006.879678.
- Duschl, R; Eberl, K (2000). Physics and applications of Si/SiGe/Si resonant interband tunneling diodes. Thin Solid Films. 380 (1–2): 151—153. Bibcode:2000TSF...380..151D. doi:10.1016/S0040-6090(00)01491-7.
- Slight, Thomas J.; Romeira, Bruno; Wang, Liquan; Figueiredo, JosÉ M. L.; Wasige, Edward; Ironside, Charles N. (2008). A Liénard Oscillator Resonant Tunnelling Diode-Laser Diode Hybrid Integrated Circuit: Model and Experiment (PDF). IEEE Journal of Quantum Electronics. 44 (12): 1158. Bibcode:2008IJQE...44.1158S. doi:10.1109/JQE.2008.2000924. S2CID 28195545.
Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |