Перейти до вмісту

Роберт Деннард

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Роберт Деннард
англ. Robert H. Dennard
Народився5 вересня 1932(1932-09-05)
Террелл, Кофман, Техас, США
Помер23 квітня 2024(2024-04-23) (91 рік)
Кротон-он-Гадсон, Вестчестер, Нью-Йорк, США
КраїнаСША США
Діяльністьвинахідник, інформатик, інженер-електрик, інженер
Alma materПівденний методистський університет, Технологічний інститут Карнегі
Галузьелектротехніка, мікроелектроніка
ЗакладIBM
Науковий ступіньPh.D.
ЧленствоНаціональна інженерна академія США
Відомий завдяки:винахідник DRAM та автор теорії масштабування
Нагороди

Роберт Деннард (англ. Robert H. Dennard; 5 вересня 1932 — 23 квітня 2024) — американський інженер-електрик та винахідник.

Біографічні дані

[ред. | ред. код]

Деннард народився у місті Террелл в окрузі Кофман (штат Техас США). Він здобув ступінь бакалавра та магістра електротехніки в Південному методистському університеті (англ. Southern Methodist University) Далласа у 1954 та 1956 роках відповідно. Здобув ступінь доктора в Технологічному інституті Карнегі у Пітсбурзі штат Пенсільванія у 1958 році. Свою професійну діяльність розпочав на посаді наукового співробітника в корпорації International Business Machines.

Найвідоміший його винахід було зроблено у 1968 році — це винайдення динамічної пам'яті з довільним доступом. Деннард також був серед перших, хто оцінив величезний потенціал МДН-структур.

У 1974 році Робертом Деннардом та його колегами по IBM була розроблена теорія масштабування (англ. Dennard’s Scaling Theory), що давала пояснення закону Мура. Працюючи над польовими транзисторами MOSFET (англ. Metal — Oxide — Semiconductor Field Effect Transistor) та структурами MOS (англ. Metal — Oxide — Semiconductor), Деннард вивів умову, що є необхідною для виконання закону Мура. Суть відкриття полягає у тому, що коли витримувати сталим значення напруженості електричного поля при зменшенні розмірів транзистора, то параметри продуктивності зростають.

Теорію масштабування вперше було викладено у статті «Проектування МДН-структур з іонною імплантацією та дуже малими фізичними розмірностями»[1], яку було опубліковано у 1974 році. Стаття заслужила власне ім'я — її називають «Scaling Paper» (стаття про масштабування), а її появі передувало десятиліття активних досліджень, в результаті яких біполярні точкові транзистори зі структурами зворотньої (n-p-n) та прямої (p-n-p) провідності, винайдені у 1947 році, поступились місцем польовим транзисторам з p-n переходом та ізольованим затвором (MOSFET).

На основі проведених досліджень Деннарду вдалось показати, що МДН-структури мають величезний потенціал для мініатюризації. Стаття про масштабування не лише пояснювала закон Мура, але і розширила його дію — в самому законі йде мова про підвищення щільності, а не про продуктивність. Заслуга Роберта Деннарда полягає у тому, що він зіставив масштабування з продуктивністю, і якщо Гордон Мур задав вектор для розвитку напівпровідникової індустрії, то Деннард пояснив, яким саме способом слід рухатись у напрямі цього вектора. З того часу ширина провідника з тенденцією до зменшення як технологічний фактор стала головним показником прогресу.

Нагороди

[ред. | ред. код]

Примітки

[ред. | ред. код]
  1. ↑ Dennard, R.H.; Gaensslen, F.H.; Yu, Hwa-Nien; Rideout, V.L.; Bassous, E.; LeBlanc, A.R. (1974-10). Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions. IEEE Journal of Solid-State Circuits. Т. 9, № 5. с. 256—268. doi:10.1109/JSSC.1974.1050511. ISSN 0018-9200. Процитовано 20 грудня 2024.

Джерела

[ред. | ред. код]

Посилання

[ред. | ред. код]
Отримано з https://uk.wikipedia.org/w/index.php?title=Роберт_Деннард&oldid=44195656