Діод Ганна
Діо́д Га́нна (також відомий, як англ. transferred electron device (TED)) — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника.
Названо на честь винахідника Джона Ганна.
Ефект Ганна виникає тому, що в структурі зони провідності деяких напівпровідників, наприклад, GaAs, існують додаткові долини з локальними мінімумами енергії в залежності від хвильового вектора. В початковому стані електрони провідності зосереджені в основному в головній долині в центрі зони Бріллюена, де вони мають малу ефективну масу й високу швидкість. Прискорюючись в електричному полі, вони потрапляють в додаткові долини, де їхня ефективна маса більша, а швидкість менша. Завдяки цьому явищу збільшення прикладеної напруги може призвести до зменшення струму (сповільнення електронів)[1].
- Ефект від'ємного опору можна використовувати для посилення сигналу.
- Часто використовують як джерело високої частоти і великої потужності сигналу.
- Агеев Н. А., Шишкин Г. Г. Электронные приборы. — Изд. МАИ, 1996.
- Зи, С. М. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн. : пер. с англ. — Изд. 2-е, перераб. и доп. — М. : Мир, 1984. — Кн. 2. — С. 226—269.
- Лебедев, А. И. Физика полупроводниковых приборов. — М. : Физматлит, 2008.
- ↑ Вплив температури на від’ємну диференційну провідність $N$-типу у вольт-амперних характеристиках металевих гетероструктур з надпровідними електродами. mfint.imp.kiev.ua (укр.). Процитовано 5 грудня 2020.
- A Gunn diode relaxation oscillator
- Negative resistance oscillators
- Gunn diode hot electron injectors: graded gap injector and resonant tunneling injector
- програмна реалізація дії Діода Ганна
- Ганна ефект // Большая советская энциклопедия : в 30 т. / главн. ред. А. М. Прохоров. — 3-е изд. — М. : «Советская энциклопедия», 1969—1978. (рос.)
 | |
|---|---|
| Нормативний контроль |