Лавинний діод
Лави́нний діо́д — напівпровідниковий діод, різновид стабілітрона, робота якого заснована на оборотному лавинному пробої p-n переходу при зворотному включенні, тобто при подачі на шар напівпровідника з провідністю p-типу (анод) негативної відносно n-шару (катода) напруги. Зазвичай виготовляється з кремнію.
Лавинний пробій виникає за напруженості електричного поля в p-n переході, достатньої для ударної йонізації, при якій носії заряду, прискорені полем у переході генерують пари електрон-дірка. При збільшенні напруженості поля кількість породжених пар збільшується, що викликає збільшення сили струму, тому напруга на діоді залишається практично постійною.
Напруга пробою залежить від ступеня легування напівпровідника: чим слабше легування, тим більша напруга початку пробою (тобто стабілізації, для стабілітронів).
Застосовуються в електроніці як стабілітрони. Також застосовуються для захисту електричних ланцюгів від перенапруг. Захисні лавинні діоди конструюють так, щоб виключити концентрацію (шнурування) струму в одній або декількох точках p-n переходу, що приводить до локального перегріву напівпровідникової структури, для уникнення незворотного руйнування діода. Діоди, призначені для захисту від перенапруги, часто називають супрессорами.
Лавинний механізм зворотного пробою використовується також у лавинних фотодіодах і діодних генераторах шуму.
- Стабілітрон (діод Зенера)
- Лавинно-пролітний діод
- Кукарин С. В. Электронные СВЧ приборы : Характеристики, применение, тенденции развития. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Радио и связь, 1981. — 272 с.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко. — М. : Энергия, 1973. — 656 с.
- Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. — М. : Энергоатомиздат, 1990. — 576 с. — ISBN 5-283-00554-2.