Карбід кремнію

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Карбід кремнію

Зразок карбіду кремнію
Інші назви карборунд
муассаніт
Ідентифікатори
Номер CAS 409-21-2
PubChem 9863
Номер EINECS 206-991-8
Назва MeSH Silicon+carbide
ChEBI 29390
RTECS VW0450000
SMILES [C-]#[Si+]
InChI InChI=1S/CSi/c1-2
Номер Гмеліна 13642
Властивості
Молекулярна формула CSi
Молярна маса 40,1 г/моль
Молекулярна маса 39,976926533 г/моль
Зовнішній вигляд безколірні кристали
Густина 3,21 г·см−3 (усі політипи)[1]
Тпл 2730
Показник заломлення (nD) 2,55 (інфрачервона область; усі політипи)[2]
Небезпеки
Класифікація ЄС не числиться
NFPA 704
0
1
0
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Карбі́д кре́мнію, також карбору́нд — бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем.

Загальний опис

[ред. | ред. код]

Хімічна формула SiC. У природі зустрічається у вигляді надзвичайно рідкісного мінералу — муассаніту. Порошок карбіду кремнію був отриманий в 1893 році. Використовується як абразив, напівпровідник, штучний дорогоцінний камінь.

Існує приблизно 250 кристалічних форм карбіду кремнію[3].

Поліморфізм SiC характеризується великою кількістю схожих кристалічних структур, які називають політипами. Вони є варіаціями однієї й тієї ж хімічної сполуки, які ідентичні у двох вимірах, але відрізняються у третьому. Таким чином, їх можна розглядати як шари, складені стовпчиком у певній послідовності[4].

Структура

[ред. | ред. код]

Примітки

[ред. | ред. код]
  1. Patnaik, P. (2002). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. ISBN 0-07-049439-8.
  2. Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архів оригіналу за 24 квітня 2012. Процитовано 6 червня 2009.
  3. Cheung, Rebecca (2006). Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. Imperial College Press. с. 3. ISBN 1860946240. Архів оригіналу за 4 липня 2014. Процитовано 2 травня 2011.
  4. Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463.

Посилання

[ред. | ред. код]