Користувач:Harlequin Mantis/Чернетка
1970 -- 1980
Наразі двовимірні ДПМ вважаються перспективними матеріалами для нанотехнологій майбутнього — для подальшої мініатюризації електронних схем, а також для виготовлення гнучкої прозорої електроніки, оптоелектроніки, датчиків тощо [1]. Такий інтерес до ДПМ виник через те, що вони атомарно тонкі, гнучкі, прозорі, при цьому достатньо міцні, і найголовніший фактор — багато з них мають достатньо велику заборонену зону, на відміну від деяких інших двовимірних кристалів включаючи графен. А наявність забороненої зони у кристалі необхідна для виготовлення якісного польового транзистору — базового елементу в усіх електронних схемах.
Пряма заборонена зона робить ДПМ цікавими потенційними кандидатами для застовсування в оптоелектроніці, бо напівпровідники з прямою забороненою зоною можть ефективно поглинати світло. Окрім цього наявність ДПМ з різними значеннями забороненої зони дає простір для побудови оптоелектронних елементів, що працюють у різних діапазонах довжин хвиль включаючи видиму та інфрачервону області електромагнітного випромінювання. Проте на практиці квантовий вихід у ДПМ може бути на порядки нижче за теоретично передбачуваний [2], тому питання застосувань залишаеться відкирим та потребує подальших досліджень.
велітноніка та спінтроніка
| Перехідний метал / халькоген | S | Se | Te |
|---|---|---|---|
| Ti | TiS2 1Т | TiSe2 1Т: ХЗГ | TiTe2 1Т |
| V | VS2 1T. ФМ | VSe2 1T. ХЗГ, ФМ | VTe2 1T'. |
| Cr | CrSe2 1Т. ФМ | CrTe2 1Т. АФМ | |
| Fe | FeS2 ФМ | FeSe2 над-к, ФМ | |
| Hf | HfS2 | HfSe2 | |
| Ta | TaS2 2H, 1T. М, над-к, ХЗГ, ФМ | TaSe2 2H. М, над-к, ХЗГ | TaTe2 1T. М, ФМ |
| Zr | NbSe2 | NbTe2 | |
| Nb | NbS2 2H. М, над-к, ХЗГ | NbSe2 2H. М, над-к, ХЗГ | NbTe2 1T. М, над-к |
| Mo | MoS2 2H. напів-к 1.8 еВ, над-к | MoSe2 2H. напів-к 1.5 еВ, над-к | MoTe2 2H. напів-к 1.1 еВ, над-к |
| W | WS2 2Н. над-к | WSe2 2Н | WTe2 1Т. над-к |
| Re | ReS2 |
|
Позначення та скорочення у таблиці: напів-к — напівпровідник, М — метал, над-к — надпровідник, ХЗГ — хвиля зарядової густини, ФМ — феромагнетик, АФМ — антиферомагнетик.
\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\
Поезія Японії
Історія
- Срібна доба (кінець 19 ст - початок другої світової),
Діячі:
Форми срібної доби: танка та хайку - класичні по-новому переосмислені форми, сінтайсі - романтична поезія, вірші нового стилю; кіндайсі та гендайсі - більш сучасні форми.
Принципи та концепції
- Сясей - відображення, копіювання натури (наприклад, Масаока Сікі - цикл про квіти гліцинії)
- Хонкадорі - додержування канону, споконвічного віршувального взірцю
http://www.slideshare.net/GalinaSy/ss-55916522
http://znaimo.com.ua/%D0%99%D0%BE%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%BE_%D0%90%D0%BA%D1%96%D0%BA%D0%BE
.............................
Бундзін (від кит. веньжень) - см. стр 7
//////////////////////////////////////
Двовимірні кристали
- топ-даун, боттом-ап
- масшаб на масштаб
| Назва | Елемент | Вперше синтезований | Примітки |
|---|---|---|---|
| Антимонен | Sb | 2017 | тра-та-та лоролорлрл лорлорлро лрлорлрл лорлрлролр лрлорлор лорлрлр |
| Арсенен | As | 2018[3] | тра-та-та лоролорлрл лорлорлро лрлорлрл лорлрлролр лрлорлор лорлрлр |
| Бісмутен | Bi | 2016 | тра-та-та лоролорлрл лорлорлро лрлорлрл лорлрлролр лрлорлор лорлрлр |
| Борофен | B | 2015 | різні аллотропні форми |
| Гален | Ga | 2018[4] | тра-та-та лоролорлрл лорлорлро лрлорлрл лорлрлролр лрлорлор лорлрлр |
| Германен | Ge | 2014 | тра-та-та лоролорлрл лорлорлро лрлорлрл лорлрлролр лрлорлор лорлрлр |
| Графен | C | 2004 | тра-та-та лоролорлрл лорлорлро лрлорлрл лорлрлролр лрлорлор лорлрлр |
| Силіцен | Si | 2010 | тра-та-та |
| Станен | Sn | 2015 | тра-та-т |
| Фосфорен | P | 2014 | Станом на 2019 рік відмо дві аллотропні форми: чорний та блакитний фосфорен. Чорний фосфорен напівпровідник за прямою забороненою зоною 1.88 еВ, не стабільний у повітрі. |
| Назва або формула | Вперше синтезований | Примітки |
|---|---|---|
| Гексагональнй нітрид бору, hBN | рік рік рік | Електричний ізолятор, п'езоелектрик. |
| Графан | рік рік рік | яяяяяяяяяяяяяяяяяяяяя |
| Флуорографен | 2010 | яяяяяяяяяяяяя |
| Назва або формула | Примітки |
|---|---|
| Графін | тра-та-та |
| ччч | тра-та-та |
| Назва або формула | Примітки |
|---|---|
| Графін | тра-та-та |
| ччч | тра-та-та |
енкапсуляція магічні кути муаре квазікристали
- ↑ "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides", Qing Hua Wang, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman & Michael S. Strano, Nature Nanotechnology volume 7, pages 699–712 (2012). https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193.
- ↑ Mak, K. F., Lee, C., Hone, J., Shan, J. & Heinz, T. F. "Atomically thin MoS2: a new direct-gap semiconductor". Phys. Rev. Lett. 105, 136805 (2010). https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.105.136805.
- ↑ https://arxiv.org/abs/1812.05978 "Experimental evidence of monolayer arsenene: An exotic two-dimensional semiconducting material", J. Shah, W. Wang, H.M. Sohail, R.I.G. Uhrberg.
- ↑ "Atomically thin gallium layers from solid-melt exfoliation" Vidya Kochat, Atanu Samanta, Yuan Zhang, Sanjit Bhowmick, Praveena Manimunda, Syed Asif S. Asif, Anthony S. Stender, Robert Vajtai, Abhishek K. Singh, Chandra S. Tiwary, Pulickel M. Ajayan. Science Advances, 09 Mar 2018, Vol. 4, no. 3, e1701373, DOI: 10.1126/sciadv.1701373