Перейти до вмісту

Метод Лелі

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Діаграма модифікованого методу Лелі, що показує графітовий тигель, оточений індукційними котушками для нагрівання. Карбід кремнію сублімується з дна камери та осідає на верхній кришці, яка є холоднішою.

Метод Лелі, також відомий як процес Лелі або техніка Лелі — це технологія вирощування кристалів, яка використовується для виробництва кристалів карбіду кремнію для напівпровідникової промисловості. Патент на цей метод був поданий у Нідерландах у 1954 році та в Сполучених Штатах у 1955 році Яном Ентоні Лелі з Philips Electronics.[1] Згодом патент був виданий 30 вересня 1958 року, потім був уточнений Д. Р. Гамільтоном та ін. в 1960, В. П. Новікова і В. І. Іонова в 1968.[2]

Примітки

[ред. | ред. код]
  1. ↑ US 2854364, Lely, Jan Anthony, "Sublimation process for manufacturing silicon carbide crystals", published 1958-09-30, assigned to North American Philips Co., Inc. 
  2. ↑ Byrappa, Kullaiah; Ohachi, Tadashi (2003). Crystal Growth Technology. Springer Science & Business Media. ISBN 9783540003670. Retrieved 10 September 2018.
Отримано з https://uk.wikipedia.org/w/index.php?title=Метод_Лелі&oldid=43694236